| 经验赝势法在GaAs/Ge,AlAs/GaAs和AlAs/Ge异质结能带排列理论计算中的应用 |
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| 引用本文： | 郑永梅,王仁智,何国敏.经验赝势法在GaAs/Ge,AlAs/GaAs和AlAs/Ge异质结能带排列理论计算中的应用[J].物理学报,1996,45(9):1536-1542. |
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| 作者姓名： | 郑永梅 王仁智 何国敏 |
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| 作者单位： | 厦门大学物理系;厦门大学物理系;厦门大学物理系 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金及福建省自然科学基金资助的课题. |
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| 摘 要： | 在异质结能带排列的理论计算中，采用经验赝势能带计算方法，并将平均键能Ｅm作为参考能级，计算了GaAs/Ge,AlAs/GaAs和AlAs/Ge三种异质结的整体能带结构和排序（包括价带、导带和带隙），获得完整且较准确的理论计算结果，其价带偏移ΔＥｖ的计算值分别为０.５７，０.５０和１.０７ｅＶ．
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THE APPLICATION OF EMPIRICAL PSEUDOPOTENTIAL SCHEME ON THE THEORETICAL CALCULATION OF HETEROJUNCTION BAND ALIGNMENT |
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| ZHENG YONG-MEI,WANG REN-ZHI and HE GUO-MIN.THE APPLICATION OF EMPIRICAL PSEUDOPOTENTIAL SCHEME ON THE THEORETICAL CALCULATION OF HETEROJUNCTION BAND ALIGNMENT[J].Acta Physica Sinica,1996,45(9):1536-1542. |
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| Authors: | ZHENG YONG-MEI WANG REN-ZHI and HE GUO-MIN |
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