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| 金属Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体欧姆接触特性及其测试方法 | |
| 引用本文： | 陈季文.金属Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体欧姆接触特性及其测试方法[J].微纳电子技术,1985(6). |
| 作者姓名： | 陈季文 |
| 摘 要： | <正> 一、引言Ⅲ-V 族化合物半导体材料和器件的研制及应用在过去的十几年中得到了迅速的发展。随着Ⅲ-V 族化合物半导体器件的广泛应用,人们对这些材料的欧姆接触的低阻性、重复性、稳定性和可靠性的要求越来越高。大量的实验结果和理论分析表明:良好的欧姆接触不仅可以改善器件的性能,而且还有利于提高器件的使用寿命。十多年来,人们在这方面做了大量细致的研究工作,取得了许多有用的实验结果。这些结果表明,要想得到低电阻、高可靠的欧姆接触还是器件制作工艺中的一道难题。最近,为获得良好的金属-Ⅲ-V 族化合物半导体欧姆接触,已发展了一些较新的制作工艺。虽然这些工艺还在研究中,但是从发展来看,这 |
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