| PHEMT电离辐照效应研究 |
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| 引用本文： | 杨广林?杜磊庄奕琪何亮胡瑾刘宇安.PHEMT电离辐照效应研究[J].传感技术学报,2006,19(5):1800-1802. |
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| 作者姓名： | 杨广林?杜磊庄奕琪何亮胡瑾刘宇安 |
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| 作者单位： | 1. 西安电子科技大学技术物理学院,西安,710071
2. 西安电子科技大学微电子学院,西安,710071 |
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| 基金项目： | 江苏省高技术研究发展计划项目 |
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| 摘 要： | 对PHEMT的电离辐照效应进行了研究,通过测量辐照前后器件的I-V特性和低频噪声,发现辐照对PHEMT的性能影响并不明显.分析了PHEMT漏电流退化的机理以及其低频噪声的来源,发现异质结界面态是引起漏电流退化和产生较大低频噪声的主要原因,但辐照不会在异质结界面处引入大量的界面态,从而在微观上解释了实验结果.
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| 关 键 词： | 电离辐照 PHEMT 界面态 低频噪声 |
| 文章编号： | 1004-1699(2006)05-1800-03 |
| 修稿时间： | 2006年7月1日 |
Study on Ionization Effect of PHEMT |
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| Yang Guang-LinDu-LeiZhuang Yi-QiHe LiangHu JinLiu Yu-an.Study on Ionization Effect of PHEMT[J].Journal of Transduction Technology,2006,19(5):1800-1802. |
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| Authors: | Yang Guang-LinDu-LeiZhuang Yi-QiHe LiangHu JinLiu Yu-an |
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| Abstract: | This paper study on the ionization effect of PHEMT. Though measured the I-V characteristic and the low frequency noise, we found that the performance of PHEMT is not influence evidently by gamma irradiation. Analyzed the drain current degraded mechanism and the origin of low frequency noise of PHEMT, we found that interface states of hetero-junction is the main cause for the drain current degradation and the larger low-frequency noise. The gamma irradiation will not introduce any more interface states, and that can explain effectively the results of experiment in microcosmic. |
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| Keywords: | PHEMT |
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