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一种新型的高精度神经元MOS源极跟随单元电路
引用本文:杨媛,高勇,余宁梅,刘梦新.一种新型的高精度神经元MOS源极跟随单元电路[J].半导体学报,2004,25(9):1074-1078.
作者姓名:杨媛  高勇  余宁梅  刘梦新
作者单位:西安理工大学电子工程系 西安710048 (杨媛,高勇,余宁梅),西安理工大学电子工程系 西安710048(刘梦新)
摘    要:提出了一种新型的神经元MOS源极跟随电路结构,该电路即使在输入信号小于阈值电压的情况下也能够完成源极跟随的功能,因而具有较高的精度.仿真和实验结果表明它比传统的神经元MOS源极跟随电路具有更高的精度

关 键 词:神经元MOS    源极跟随电路    阈值

A Novel NeuMOS Source Follower Cell with High Precision
Yang Yuan,Gao Yong,Yu Ningmei,Liu Mengxin.A Novel NeuMOS Source Follower Cell with High Precision[J].Chinese Journal of Semiconductors,2004,25(9):1074-1078.
Authors:Yang Yuan  Gao Yong  Yu Ningmei  Liu Mengxin
Abstract:A novel neuMOS source follower circuit is presented.The cell can complete the s ource follower function even if the input voltage is lower than the threshold of the source follower,thus high-precision operation of the circuit is achieved. The simulation and the measurement results show that its precision is higher tha n that of other neuMOS source follower circuits.
Keywords:neuron MOS  source follower  threshold
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