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无酸水热法制备多孔硅
引用本文:朱利兵, 唐元洪, 胡爱平, 林良武,. 无酸水热法制备多孔硅[J]. 电子器件, 2006, 29(2): 311-313,329
作者姓名:朱利兵   唐元洪   胡爱平   林良武  
作者单位:湖南大学,材料科学与工程学院,长沙,410082;湖南大学,材料科学与工程学院,长沙,410082;湖南大学,材料科学与工程学院,长沙,410082;湖南大学,材料科学与工程学院,长沙,410082
摘    要:报道一种在无酸性腐蚀液的条件下用反应釜制备多孔硅的新方法。实验采用扫描电镜、拉曼光谱和光致发光谱对样品表面形貌、结构及发光性能进行表征,并与用常规电化学阳极氧化法制出的多孔硅进行了对比研究,研究结果表明用无酸水热法制出的多孔硅表面平整,孔的形状规则,发光效能提高更多。

关 键 词:光电集成  多孔硅  无酸水热法  电化学阳极氧化法
文章编号:1005-9490(2006)02-0311-03
收稿时间:2005-10-13
修稿时间:2005-10-13

Preparation of Porous Silicon by Non-Acid Hydrot hermal Method
ZHU Li-bing,TANG Yuan-hong,HU Ai-ping,LIN Liang-wu. Preparation of Porous Silicon by Non-Acid Hydrot hermal Method[J]. Journal of Electron Devices, 2006, 29(2): 311-313,329
Authors:ZHU Li-bing  TANG Yuan-hong  HU Ai-ping  LIN Liang-wu
Affiliation:College of Material Science and Engineering, Hunan University, Changsha 410082, China
Abstract:This article has reported a new method to prepare porous silicon by using raction kettle without corrosive acid. SEM, Raman and PL spectrum were adopted to characterize the surface , structure and photoluminescence property of samples. In comparison with those prepared by anodising p type silicon, the porous silicons prepared by non-acid hydrothermal method have smooth surface , regular shape of pores , and higher PL efficiencey.
Keywords:photoelectricity integration  porous silicon(PS)  non -acid hydrothermal method  anodization
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