| 基于载流子注入的SOI 4×4MMI-MZ光开关阵列 |
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| 作者姓名： | 杨健 陈伟伟 王皖君 王明华 杨建义 |
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| 作者单位： | 浙江大学 信息与电子工程学系 唐仲英传感材料与应用研究中心,浙江 杭州310027;浙江大学 信息与电子工程学系 唐仲英传感材料与应用研究中心,浙江 杭州310027;浙江大学 信息与电子工程学系 唐仲英传感材料与应用研究中心,浙江 杭州310027;浙江大学 信息与电子工程学系 唐仲英传感材料与应用研究中心,浙江 杭州310027;浙江大学 信息与电子工程学系 唐仲英传感材料与应用研究中心,浙江 杭州310027 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(60977043)和国家“863”计划(2012AA012203)资助项目 (1.浙江大学 信息与电子工程学系唐仲英传感材料与应用研究中心,浙江 杭州310027; 2.宁波大学 信息学院,浙江 宁波 315211; 3.贵州大学 理学院,贵州 贵阳 550025) |
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| 摘 要： | 采用0.8μm CMOS工艺线制作了一种基于载流子注入的SOI 4×4马赫-曾德(MZ)光开关阵列,其由4个2×2基于多模干涉(MMI)耦合器的MZ(MMI-MZ)光开关单元组成。通过对调制臂施加电压,利用Si的载流子色散效应引起调制区的折射率变化实现开关功能。测试结果表明,当输入光为1 510～1 580nm的宽带光源时,光开关阵列的不同路径间的串扰低于-8.02dB,支持的公共带宽为35nm(1 530～1 565nm),开关阵列的上升和下降时间分别为17.4ns和21ns。
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| 关 键 词： | 光开关阵列 马赫-曾德(MZ) 多模干涉(MMI)耦合器 SOI 载流子色散 |
| 收稿时间： | 2012-07-15 |
| 修稿时间： | 2012-08-10 |
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