| 退火对Cr3+离子掺杂Al2O3薄膜的结构及发光性能影响 |
| |
| 引用本文： | 孙乃坤,杜宝盛,高印博,柳峰,蔡宗岐,赵美星.退火对Cr3+离子掺杂Al2O3薄膜的结构及发光性能影响[J].功能材料,2013,44(13):1859-1862. |
| |
| 作者姓名： | 孙乃坤 杜宝盛 高印博 柳峰 蔡宗岐 赵美星 |
| |
| 作者单位： | 沈阳理工大学理学院,辽宁沈阳,110159 |
| |
| 基金项目： | 沈阳理工大学博士启动专项基金资助项目 |
| |
| 摘 要： | 用脉冲激光沉积技术在Si(100)基底上制备了纯Al2O3、掺杂浓度为0.3%、1%(质量分数)的Cr3+∶Al2O3薄膜。制备态的薄膜为立方γ-Al2O3结构,经800℃真空条件下退火1h样品的结晶度有所提高,呈现α-Al2O3相与γ-Al2O3相的衍射峰。薄膜基本保持了靶材中原有各元素成分比例,平均粒径为250nm,形貌为条形。与Al2O3粉体相比,制备态薄膜在386nm处的发光峰强度明显提高。这可归因于薄膜中氧空位的增加使双氧空位吸收电子所产生的F2+色心浓度提高。薄膜经真空退火后在332、398nm附近的发光峰强度明显增强,这是由于薄膜中氧空位的增加提高了F+、F色心浓度。与此同时,制备态薄膜在386nm附近发光峰经退火后由386nm蓝移至381nm,可归因于退火后制备态薄膜的内应力得到了释放。1%(质量分数)Cr3+掺杂薄膜在646、694nm出现Cr3+离子由4 T2能级跃迁至4 A2能级及由E-能级跃迁至4 A2能级产生的荧光发光峰。
|
| 关 键 词： | 脉冲激光沉积 Cr3+掺杂的氧化铝薄膜 荧光光谱 真空退火 |
Influence of annealing on structural and photoluminescence properties of Cr3+ doped Al2O3 thin films |
| |
| SUN Nai-kun
,
DU Bao-sheng
,
GAO Yin-bo
,
LIU Feng
,
CAI Zong-qi
,
ZHAO Mei-xing.Influence of annealing on structural and photoluminescence properties of Cr3+ doped Al2O3 thin films[J].Journal of Functional Materials,2013,44(13):1859-1862. |
| |
| Authors: | SUN Nai-kun DU Bao-sheng GAO Yin-bo LIU Feng CAI Zong-qi ZHAO Mei-xing |
| |
| Affiliation: | (School of Science,Shenyang Ligong University,Shenyang 110159,China) |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | PLD Cr3+-doped Al2O3 film photoluminescence annealing |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ |
|
