| 半导体器件中的量子隧道效应 |
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| 引用本文： | 齐吉泰. 半导体器件中的量子隧道效应[J]. 高师理科学刊, 2002, 22(2): 23-26 |
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| 作者姓名： | 齐吉泰 |
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| 作者单位： | 绥化师范专科学校,物理系,黑龙江,绥化,152061 |
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| 摘 要： | 利用隧道效应器件的量子力学理论 ,说明了隧道效应电子在势垒区内部的行为 .
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| 关 键 词： | 半导体 隧道效应 势垒 |
| 文章编号： | 1007-9831(2002)02-0023-04 |
| 修稿时间： | 2002-02-27 |
Quantum tunnel effect in the semiconductor |
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| QI Ji-tai. Quantum tunnel effect in the semiconductor[J]. Journal of Science of Teachers＇College and University, 2002, 22(2): 23-26 |
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| Authors: | QI Ji-tai |
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| Abstract: | Take advantage of quantum mechanics theory of tunnel effect device to explain action of tunnel effect electron in the potential area. |
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| Keywords: | semiconductor tunnel effect potential barrier |
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