| 熔体外延法生长的截止波长12 μm的InAs0.04Sb0.96的电学性质 |
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| 引用本文： | 高玉竹,龚秀英,梁骏吾,桂永胜,山口十六夫.熔体外延法生长的截止波长12 μm的InAs0.04Sb0.96的电学性质[J].光电子．激光,2005,16(11):1329-1332. |
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| 作者姓名： | 高玉竹 龚秀英 梁骏吾 桂永胜 山口十六夫 |
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| 作者单位： | 同济大学电子与信息工程学院,上海,200092;中国科学院上海技术物理研究所,上海,200083;日本国立静冈大学电子工学研究所,日本,滨松,432-8011 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目（60376002） |
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| 摘 要： | 用Van der Pauw法研究了熔体外延(ME)法生长的截止波长为12 μm的InAs0.04Sb0.96单晶电学性质,测量了其电学性质随温度的变化,结果为300 K时,n＝2.3×1016 cm-3,μ＝6×104 cm2/Vs;200 K时,n＝1×1015 cm-3,μ＝1×105 cm2/Vs.分析了石墨舟和石英舟中生长的外延材料不同的电学特性及其散射机理.结果表明,电离杂质散射控制所有样品在低温时的电子输运过程,而高温时材料的电子迁移率主要由极性光学声子的散射过程决定;C的沾污对石墨舟中生长的InAs0.04Sb0.96单晶在200 K以下的电子迁移率有明显的影响.
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| 关 键 词： | InAsSb 熔体外延(ME) 电子迁移率 散射 纯度 |
| 文章编号： | 1005-0086（2005）11-1329-04 |
| 收稿时间： | 2005-03-08 |
| 修稿时间： | 2005-03-08 |
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