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责任编辑
分类号
杂志ISSN号
CdTe/Dl1—xMnxTe:In应变层量子阱的光荧光光谱
作者姓名:
姜山 张家明
摘 要:
报道了MBE生长的CdTe/Cd1-xMnxTe:In调制掺杂应变层多量子阱材料的光荧光光谱,低温下观察到一个由多电子-单个空穴散射引起的很强的费密边奇异的发光现象,对应于费密边能量位置发光峰有一个很强的增加,使整个发光锋具有明显的非对称性。分析讨论了引起费密边奇异现象的物理机制,测量了77K和GdTe/Cd1-xMnxTe:In样品的调制光谱,与荧光光谱进行比较,结果进一步支持了本文的结论。还测
关 键 词:
光荧光 费密边奇异 多量子阱
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