C-Si/GD μC-Si:H异质结的一些性质 |
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作者姓名: | 曹宝成 戴国才 罗升旭 |
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作者单位: | 山东大学物理系,山东大学物理系,山东大学物理系 |
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摘 要: | 在单晶硅衬底上淀积掺硼(或磷)的μC—Si:H 薄膜可制成 C—Si/GDμC—Si:H 异质结。掺杂μC—Si:H 薄膜是由辉光放电制备,它的电导率约 1000S/m 光学带隙是1.6eV,淀积温度是280℃。该结具有好的 I—V 特性曲线,可以用整流扩散理论解释它。反向击穿电压取决于晶态衬底的电阻率。退火实验指出,在650℃以下,该结的 I—V 特性是稳定的。讨论了异质结的有关性质。
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关 键 词: | 微晶硅 μC-Si:H异质结 异质结特性 |
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