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高增益低功耗CMOS低噪声放大器的设计
引用本文:张红南,黄雅攸,蒋超,颜永红.高增益低功耗CMOS低噪声放大器的设计[J].微计算机信息,2008,24(29).
作者姓名:张红南  黄雅攸  蒋超  颜永红
基金项目:湖南省自然科学基金计划资助,颁发部门:湖南省自然科学基金委员会,基金资助:湖南省自然科学基金资助项目
摘    要:本文基于TSMC 0.35μm CMOS工艺,设计了一种工作于2.4 GHz频率下的、高增益、低功耗的低噪声放大器.并在ADS的平台下进行了参数的优化与仿真.其仿真结果表明,该低噪声放大器的最大增益约为16 dB,并且波动范围小于0.3dB;噪声系数约为0.8 dB,IIP3为 1.6 dBm:在1.5 V电源电压供电条件下,电路直流功耗为8 mW.因此,该电路实现了高增益、低功耗的功能.满足实际应用的要求.

关 键 词:低噪声放大器  低功耗

Design of high-gain And Low-power CMOS LNA
ZHANG Hong-nan,HUANG Ya-you,JIANG Chao,YAN Yong-hong.Design of high-gain And Low-power CMOS LNA[J].Control & Automation,2008,24(29).
Authors:ZHANG Hong-nan  HUANG Ya-you  JIANG Chao  YAN Yong-hong
Abstract:
Keywords:CMOS
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