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| Ar~+与氟化的Si样品相互作用机制的研究:分子动力学模拟 | |
| 引用本文： | 秦尤敏,吕晓丹,宁建平,A.Bogaerts,苟富君.Ar~+与氟化的Si样品相互作用机制的研究:分子动力学模拟[J].真空科学与技术学报,2010,30(3). |
| 作者姓名： | 秦尤敏 吕晓丹 宁建平 A.Bogaerts 苟富君 |
| 作者单位： | 1. 贵州大学等离子体与材料表面作用研究所,贵阳,550025 2. 比利时安特卫普大学化学系,PLASMANT课题组,比利时B-2610 3. 贵州大学等离子体与材料表面作用研究所,贵阳,550025;四川大学核科学与技术工程学院,成都,610064;比利时安特卫普大学化学系,PLASMANT课题组,比利时B-2610;荷兰皇家科学院等离子体所,荷兰,2300 |
| 摘 要： | 采用分子动力学方法模拟了Ar+与表面含有C,F反应层的Si样品的相互作用过程,以了解Ar+与氟化的Si的作用机制。为了和相对应的实验结果做比较,选择了两种样品,表面富F样品和表面富C样品。模拟结果表明,对于表面富F样品,能清楚地看到Si的刻蚀且随着入射能量的增加Si的刻蚀增加。当入射Ar+数量到达一定程度后Si的刻蚀完全停止。对于富C样品,几乎没有发生Si的刻蚀,这是由于Si-C键对Si的刻蚀起阻碍作用。 |
| 关 键 词： | 分子动力学 作用机制 刻蚀 表面富F样品 表面富C样品 |
Study of Ar Ion Etching Mechanisms of Fluorinated Si Surfaces: Molecular Dynamics Simulation |
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| Qin Youmin,Lü Xiaodan,Ning Jianping,A.Bogaerts,Gou Fujun.Study of Ar Ion Etching Mechanisms of Fluorinated Si Surfaces: Molecular Dynamics Simulation[J].JOurnal of Vacuum Science and Technology,2010,30(3). | |
| Authors: | Qin Youmin Lü Xiaodan Ning Jianping ABogaerts Gou Fujun |
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| Keywords: | |
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