| 平面栅SiC MOSFET设计研究 |
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| 引用本文： | 韩忠霖,白云,陈宏,杨成樾. 平面栅SiC MOSFET设计研究[J]. 电源学报, 2020, 18(4): 4-9 |
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| 作者姓名： | 韩忠霖 白云 陈宏 杨成樾 |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子研究所,中国科学院微电子研究所,中国科学院微电子研究所,中国科学院微电子研究所 |
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| 摘 要： | 碳化硅MOSFETs开关速率快,耐压高,在逆变器应用领域前景广阔。平面栅MOSFETs因其成熟的工艺是最先被商业化的器件。在平面栅MOSFETs的设计中,降低导通电阻和提高芯片的电流密度是重要的开发目标。基于自主研制的1 200 V及1 700 V SiC MOSFETs,研究了载流子扩展层技术、JFET注入技术以及元胞结构对器件电学特性的影响。测试结果表明采用方形元胞设计的SiC MOSFET的电流明显大于采用条形元胞设计的电流,JFET注入对阈值电压的影响比载流子扩展层技术更小。
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| 关 键 词： | 碳化硅，平面栅MOSFET，导通电阻，载流子扩展层，JFET注入 |
| 收稿时间： | 2020-05-11 |
| 修稿时间： | 2020-07-26 |
Investigation on Design of SiC Planar Gate MOSFET |
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| HAN Zhonglin,BAI Yun,CHEN Hong and YANG Chengyue. Investigation on Design of SiC Planar Gate MOSFET[J]. Journal of Power Supply, 2020, 18(4): 4-9 |
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| Authors: | HAN Zhonglin BAI Yun CHEN Hong YANG Chengyue |
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| Affiliation: | Institute of Microelectronics of the Chinese Academy of Sciences,Institute of Microelectronics of the Chinese Academy of Sciences,Institute of Microelectronics of the Chinese Academy of Sciences, |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | SiC planar gate MOSFET on-resistance carrier spreading layer JFET implantation |
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