4H-SiC(0001)硅面原子级平整抛光方法 |
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引用本文: | 高飞,徐永宽,程红娟,洪颖,张淑娟.4H-SiC(0001)硅面原子级平整抛光方法[J].微纳电子技术,2014(9). |
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作者姓名: | 高飞 徐永宽 程红娟 洪颖 张淑娟 |
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作者单位: | 中国电子科技集团公司第四十六研究所; |
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摘 要: | 以4H-SiC(0001)面Si面为加工对象,提出了一种可以快速获得平整、无损伤表面的化学机械抛光方法。先在复合铜、锡盘上对2英寸(1英寸=2.54 cm)的SiC晶片进行机械抛光,去除研磨造成的损伤层和划痕,最后用特殊的抛光液进行化学机械抛光。用微分干涉显微镜和原子力显微镜观察晶片表面形貌的变化,观察结果显示,经3 h抛光后晶片的表面粗糙度状况得到了明显的改善,表面没有观察到划痕,表面粗糙度值达到了0.1 nm以下,并且出现规则排列的原子台阶构型,达到了原子级平整。实验研究了抛光液组成对抛光效果的影响,在最优的条件下,化学机械抛光的去除速率约为387 nm/h。
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关 键 词: | 碳化硅(SiC) 化学机械抛光(CMP) 表面粗糙度 原子台阶构型 原子级平整 |
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