高温形核层对蓝宝石衬底AlN薄膜质量的影响 |
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引用本文: | 刘波,尹甲运,吕元杰,敦少博,冯志红,蔡树军.高温形核层对蓝宝石衬底AlN薄膜质量的影响[J].微纳电子技术,2014(7). |
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作者姓名: | 刘波 尹甲运 吕元杰 敦少博 冯志红 蔡树军 |
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作者单位: | 专用集成电路重点实验室; |
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摘 要: | 采用两步生长模式的金属有机化学气相沉积方法在蓝宝石衬底上外延生长AlN薄膜,通过高分辨X射线衍射和原子力显微镜分析方法,研究发现蓝宝石衬底上外延生长的AlN薄膜晶体质量与高温AlN形核层的形核密度及晶粒大小密切相关,而形核密度决定于高温AlN形核层的初始铝体积流量,晶粒的大小取决于其厚度。优化了高温AlN形核层的初始铝体积流量和厚度等工艺参数。当高温AlN形核层的初始铝体积流量为30 cm3/min、生长时间为9 min时,高温AlN形核层的形核密度和晶粒大小最优,外延生长的AlN薄膜位错密度最低,表面最平整,晶体质量最好。
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关 键 词: | AlN外延层 高温形核层 位错 蓝宝石衬底 金属有机化学气相沉积(MOCVD) |
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