碳源体积分数对BDD薄膜制备和性能的影响 |
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引用本文: | 张男男,檀柏梅,高宝红,程川,杨志欣.碳源体积分数对BDD薄膜制备和性能的影响[J].微纳电子技术,2014(12). |
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作者姓名: | 张男男 檀柏梅 高宝红 程川 杨志欣 |
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作者单位: | 河北工业大学微电子研究所; |
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基金项目: | 02重大专项(2009zx02308-003) |
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摘 要: | 以丙酮为碳源,采用热丝化学气相沉积(HFCVD)技术在钽衬底上制备p型硼掺杂金刚石(BDD)薄膜电极。在BDD电极制备过程中,碳源体积分数对它的质量和性能影响很大。利用AFM和XRD分析了丙酮体积分数对BDD电极表面形态和成膜质量的影响。利用循环伏安法研究了采用不同体积分数的丙酮沉积的BDD电极对电化学窗口和背景电流的影响。分别采用BDD电极和不锈钢片作阳极和阴极电解K2SO4溶液,并利用KMnO4滴定法检测BDD电极的氧化效率。结果表明,优化丙酮体积分数可以提高BDD的均匀性和附着力。合适的丙酮体积分数所制备的BDD电极具有电化学窗口宽、背景电流低和电极氧化效率高等特点,有很好的应用前景。
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关 键 词: | 丙酮体积分数 热丝化学气相沉积(HFCVD) 硼掺杂金刚石(BDD)薄膜 电化学 氧化效率 |
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