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一种基于电磁带隙谐振结构的K波段压控振荡器(英文)
引用本文:徐峰,王新安,陈勖.一种基于电磁带隙谐振结构的K波段压控振荡器(英文)[J].北京大学学报(自然科学版),2013(3):383-388.
作者姓名:徐峰  王新安  陈勖
作者单位:北京大学深圳研究生院集成微系统科学工程与应用重点实验室;北京大学微电子学研究院
基金项目:深圳市基础研究计划(JC201005260232A)资助
摘    要:报道一种工作在K波段的压控振荡器的设计和性能。该压控振荡器采用基于pHEMT工艺的有源器件,用紧凑的边缘通孔电磁带隙谐振结构替代传统的谐振电路,实现压控振荡器的小型化。测试结果表明,该电路工作频段为22.9~25.6 GHz,在23.6 GHz的最大输出功率为10.4 dBm,且在24~25.6 GHz频段的输出功率平坦度小于1 dB。在偏离载频1 MHz处测得的压控振荡器相位噪声约为95 dBc/Hz。整体电路面积为17 mm×7.5 mm。

关 键 词:K波段  压控振荡器  赝高电子迁移率晶体管  电磁带隙
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