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| LPE Ga_(1-x)Al_xAs/GaAs异质结缺陷研究 | |
| 作者姓名： | 沈厚运 梁骏吾 褚一鸣 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所，中国科学院半导体研究所，中国科学院半导体研究所 武汉大学物理系 |
| 摘 要： | 本文用熔融KOH化学择优腐蚀,金相显微镜,扫描电镜阴极荧光研究了液相外延生长的Ga_(1-x)AlxAs/GaAs中位错的延伸和分布.观察到异质结Ga_(1-x)AlxAs/GaAs中位铅延伸和密度分布与界面成分值x有关.在一定x值范围内,观察到界面层中存在位错网络,这种位错网络对衬底位错向外延层延伸有抑制作用.在此x值范围内外延层是无位错的.用高压透射电镜观察位错网络的平面和剖面分布特征,并对网络形成机理进行了定性讨论. |
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