| 生物分子膜门电极AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)生物传感器研究 |
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| 作者姓名： | 李加东 程珺洁 苗斌 魏晓玮 张志强 黎海文 吴东岷 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所, 国际实验室, 苏州 215123;
2. 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所, 纳米器件与应用重点实验室, 苏州 215123;
3. 中国科学院合肥物质科学研究院, 合肥 230031;
4. 中国科学院苏州生物医学工程技术研究所, 医用微纳技术研究室, 苏州 215163 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金青年科学基金(批准号:61104226);国家重大科学研究计划项目(2010CB934700)资助的课题~~ |
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| 摘 要： | 设计并制作了结构尺寸为毫米量级的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)生物传感器,采用数值分析的方法分析了器件传感区域长度与宽度比值及待测物调控二维电子气(2DEG)距离与感测信号之间的关系,给出了结构尺寸为毫米量级的AlGaN/GaN HEMT生物传感器的设计依据,以不同浓度的前列腺特异性抗原(PSA)为待测物,对制作的AlGaN/GaN HEMT生物传感器进行了初步测量,测试结果表明,在50 mV的电压下,毫米量级的AlGaN/GaN HEMT生物传感器的对PSA的探测极限低于0.1 pg/ml.实验表明毫米量级的AlGaN/GaN HEMT生物传感器具有灵敏度高,易于集成等优点,具备良好的应用前景.
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| 关 键 词： | 二维电子气 高电子迁移率晶体管 生物传感器 前列腺特异性抗原 |
| 收稿时间： | 2013-03-08 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ |
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