Ti/Sr比对SrTiO3晶界层电容器性能的影响 |
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引用本文: | 范福康,唐晓霞.Ti/Sr比对SrTiO3晶界层电容器性能的影响[J].硅酸盐通报,1990,9(1):16-21. |
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作者姓名: | 范福康 唐晓霞 |
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作者单位: | 南京化工学院硅酸盐工程系 |
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摘 要: | 采用空气中一次烧成工艺,通过性能测定、SEM观察,研究了Ti/Sr与SrTiO3晶界层电容器材料试样的烧结性能、半导化、显微结构及介电性能之间的关系。结果表明,Sr过量试样的烧结及半导化过程与Ti过量的均有很大差异,这主要与烧成过程中液相量的规律有关。Ti/Sr比及烧成温度对试样的显微结构有明显影响,因而也影响了试样的介电性能。
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关 键 词: | 钛/锶 钛酸锶 晶界层 性能 电容器 |
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