| 等离子体化学气相淀积TiO2薄膜材料 |
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| 引用本文： | 沈瑜生,张俊颖,相承宗.等离子体化学气相淀积TiO2薄膜材料[J].传感技术学报,1989,2(1). |
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| 作者姓名： | 沈瑜生 张俊颖 相承宗 |
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| 作者单位： | 中国科学技术大学
(沈瑜生，张俊颖)，中国科学技术大学(相承宗) |
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| 摘 要： | 本文报导了以钛酸丁酯((C_4H_9O)_4Ti)为反应源物质,采用等离子体化学气相淀积(P-CVD)技术,在不同衬底上淀积出性能良好的TiO_2薄膜材料,并对其结构和气敏特性进行了初步研究。
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| 关 键 词： | 薄膜 TiO_2 等离子体化学气相淀积 气敏元件 |
TiO_2 Thin Film Materials by MO-P-CVD |
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| Shen Yusheng Zhang Junying Xiang Chengzong.TiO_2 Thin Film Materials by MO-P-CVD[J].Journal of Transduction Technology,1989,2(1). |
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| Authors: | Shen Yusheng Zhang Junying Xiang Chengzong |
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| Affiliation: | Univ. of Science and Technology of China |
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| Abstract: | TiO2 thin films are prepared by MO-P-CVD proccess,using metallorganic compound (C4H9O)4Ti] as source material. By optimizing the deposition parameters, smooth and homogeneous TiO2 layers are obtained on several kinds of substrates. The stracture and gas sensing characteristics of TiO2 thin films are studied. |
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| Keywords: | thin film plasma CVD gas sensor titanium dioxide |
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