| 半导体高温压力传感器的静电键合技术 |
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| 引用本文： | 赵毅强,张生才,姚素英,张为,曲宏伟,张维新. 半导体高温压力传感器的静电键合技术[J]. 哈尔滨工业大学学报, 2002, 34(6): 773-775 |
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| 作者姓名： | 赵毅强 张生才 姚素英 张为 曲宏伟 张维新 |
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| 作者单位： | 天津大学电子信息工程学院,天津,300072 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(69876207). |
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| 摘 要： | 分析了硅－玻璃静电键合机制，讨论了键合强度与玻璃表面、温度、键合电压的关系；通过缓慢降温等措施减小了键合后的残余应力。针对多晶硅高温压力传感器设计研制了一套装置，给出了其工作机制和键合电流－时间（I-t)关系。经大批量键合封接实验，键合的成品率达到95％以上，有效提高了多晶硅高温压力传感器的可靠性。
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| 关 键 词： | 半导体 多晶硅高温压力传感器 静电键合 键合强度 残余应力 设计 |
| 文章编号： | 0367-6234(2002)06-0773-03 |
| 修稿时间： | 2001-10-29 |
Si- glass anodic bonding of high- temperature semiconductor pressure sensor |
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| ZHAO Yi-qiang,ZHANG Sheng-cai,YAO Su-ying,ZHANG Wei,QU Hong-wei,ZHANG Wei-xin. Si- glass anodic bonding of high- temperature semiconductor pressure sensor[J]. Journal of Harbin Institute of Technology, 2002, 34(6): 773-775 |
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| Authors: | ZHAO Yi-qiang ZHANG Sheng-cai YAO Su-ying ZHANG Wei QU Hong-wei ZHANG Wei-xin |
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| Abstract: | Anodic bonding is important for making silicon pressure sensor. The principle of Si - Glass anodic bonding of high - temperature polysilicon pressure sensor; studies the relationship between the adhesion strength and other factors, and some measurements to lower the residual stress causing by bonding are proposed. By making experiments, the qualification rate can reach 95%. |
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| Keywords: | high - temperature polysilicon pressure sensor anodic bonding bonding strength residual stress |
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