| 3-烷基噻吩交替共聚物的合成及其电化学性质 |
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| 引用本文： | 王雪梅,石晨,肖英勃,韦斌,孙岳明,祁争健.3-烷基噻吩交替共聚物的合成及其电化学性质[J].应用化学,2009,26(6). |
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| 作者姓名： | 王雪梅 石晨 肖英勃 韦斌 孙岳明 祁争健 |
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| 作者单位： | 东南大学化学化工学院,南京,211189 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展规划(973计划)，国家科技支撑计划，江苏省研究生创新计划项目 |
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| 摘 要： | 通过Heck偶联法合成了4种3-烷基噻吩交替共聚物:聚(2,4-二乙烯基-3-己基噻吩-1,3,4-二唑)(P3HT-OXD)、聚(2,4-二乙烯基-3-辛基噻吩-1,3,4-二唑)(P3OT-OXD)、聚(2,4-二乙烯基-3-己基噻吩-吡啶)(P3HT-Py)和聚(2,4-二乙烯基-3-辛基噻吩-吡啶)(P3OT-Py). 用NMR、GPC等测试技术对其结构进行了表征. 采用循环伏安法、紫外-可见吸收光谱法研究了系列共聚物光电性能. 结果表明,随噻吩环3位取代烷基碳链的增长,聚合物电离能(Ip)减小,带隙(Eg)也随之变窄. 其中,P3OT-OXD的Eg比P3HT-OXD小0.11 eV,P3OT-Py的Eg比P3HT-Py小0.19 eV,在3-烷基噻吩聚合物主链上引入吸电子能力较强的二唑单元,可有效提高共聚物电子亲合能(Ea),对提高电子传输能力,改善电子与空穴注入平衡有积极作用.
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| 关 键 词： | 聚噻吩 循环伏安 电子亲合能 电离能 带隙 |
Synthesis and Electrochemical Characteristics of 3-Alkylthiophene Copolymers |
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| WANG Xue-Mei,SHI Chen,XIAO Yin-Bo,WEI Bin,SUN Yue-Ming,QI Zheng-Jian.Synthesis and Electrochemical Characteristics of 3-Alkylthiophene Copolymers[J].Chinese Journal of Applied Chemistry,2009,26(6). |
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| Authors: | WANG Xue-Mei SHI Chen XIAO Yin-Bo WEI Bin SUN Yue-Ming QI Zheng-Jian |
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