| Cr/蓝宝石界面的二次离子质谱研究 |
| |
| 引用本文： | 岳瑞峰,王佑祥,陈春华.Cr/蓝宝石界面的二次离子质谱研究[J].半导体技术,2000,25(1):33-35,41. |
| |
| 作者姓名： | 岳瑞峰 王佑祥 陈春华 |
| |
| 作者单位： | 1. 清华大学微电子学研究所,北京,100084
2. 中国科学院表面物理国家重点实验室,北京,100864 |
| |
| 摘 要： | 采用电子束蒸发的方法在２００℃抛光的取向的蓝宝石衬底上淀积２００ｎｍ的Ｃｒ，并在高真空中退火。利用ＭＣｓ＾＋－ＳＩＭＳ技术对样品进行了深度剖析，给出了界面组分分布随退火温度与时间的变化关系。并在８５０退火样品观测一种新的界面结构。
|
| 关 键 词： | Cr 蓝宝石 离子质谱 陶瓷半导体 |
SIMS Analysis of the Cr/Sapphire Interface |
| |
| Yue Ruifeng,Wang Youxiang,Chen Chunhua.SIMS Analysis of the Cr/Sapphire Interface[J].Semiconductor Technology,2000,25(1):33-35,41. |
| |
| Authors: | Yue Ruifeng Wang Youxiang Chen Chunhua |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | Cr Sapphire Solid solid interfaces Secondary ion spectrometry |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
|
