| 直管式反应室感应耦合等离子体技术制备氮化硅薄膜研究 |
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| 引用本文： | 樊双莉, 陈俊芳, 吴先球, 赵文锋, 孙辉, 符斯列, 向鹏飞, 蒙高庆. 直管式反应室感应耦合等离子体技术制备氮化硅薄膜研究[J]. 华南师范大学学报（自然科学版）, 2004, (4): 65. |
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| 作者姓名： | 樊双莉 陈俊芳 吴先球 赵文锋 孙辉 符斯列 向鹏飞 蒙高庆 |
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| 作者单位： | 华南师范大学物理与电信工程学院,广东广州,510631 |
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| 基金项目： | 广东省自然科学基金资助项目(000675)，广东省重点攻关资助项目(ZKM01401G)，广东省高教厅基金资助项目(0123) |
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| 摘 要： | 采用直管式反应感应耦合等离子体增强化学气相沉积法(ICPECVD)制备氮化硅薄膜，并用傅立叶变换红外光谱仪测试了氮化硅薄膜的红外光谱，结果表明氮化硅薄膜中不仅存在Si—N键，而且由于杂质氢的存在而含有Si—H键和N—H键．用朗缪尔单探针测试了直管式反应室中的等离子体参数，得到离子密度Ni在反应室内轴向以及径向位置的变化规律，弄清了离子密度Ni分布比较均匀的区域，分析了离子密度Ni分布的均匀性对等离子体干法刻蚀和薄膜制备的影响和意义。
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| 关 键 词： | 感应耦合等离子体 氮化硅薄膜 离子密度 直管 薄膜制备 化学气相沉积法 等离子体参数 反应室 并用 增强 |
| 文章编号： | 1000-5463(2004)04-0065-05 |
| 修稿时间： | 2004-04-23 |
STUDY ON THE SILICON NITRIDE THIN FILM PREPARED BY ICP TECHNOLOGY IN THE TUBULAR CHAMBER |
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| FAN Shuang-li,CHEN Jun-fang,WU Xian-qiu,ZHAO Wen-feng,SUN Hui,FU Si-lie,XIANG Peng-fei,MENG Gao-qing. STUDY ON THE SILICON NITRIDE THIN FILM PREPARED BY ICP TECHNOLOGY IN THE TUBULAR CHAMBER[J]. Journal of South China Normal University(Natural Science Edition), 2004, 0(4): 65-69 |
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| Authors: | FAN Shuang-li CHEN Jun-fang WU Xian-qiu ZHAO Wen-feng SUN Hui FU Si-lie XIANG Peng-fei MENG Gao-qing |
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| Keywords: | ICPECVD silicon nitride thin film |
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