α—Al2O3衬底上生长的GaN膜的光学性质 |
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引用本文: | 杨凯,黄振春.α—Al2O3衬底上生长的GaN膜的光学性质[J].高技术通讯,1996,6(10):29-31. |
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作者姓名: | 杨凯 黄振春 |
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作者单位: | [1]南京大学物理系 [2]美国马里兰大学电子工程系 |
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摘 要: | 采用金属有机化学气相淀积方法生长了α-Al2O3衬底上外延的高质量的单晶GaN薄膜。X射线衍射光谱与喇曼散射光谱表征了GaN外延薄膜的单晶结构和单晶质量。透射光谱和光调制反射光谱定出了六角单晶GaN薄膜的直接带隙宽度和光学参数。
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关 键 词: | α-Al2O3 薄膜 光学性质 三氧化二铝 |
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