首页 | 官方网站   微博 | 高级检索  
     

α—Al2O3衬底上生长的GaN膜的光学性质
引用本文:杨凯,黄振春.α—Al2O3衬底上生长的GaN膜的光学性质[J].高技术通讯,1996,6(10):29-31.
作者姓名:杨凯  黄振春
作者单位:[1]南京大学物理系 [2]美国马里兰大学电子工程系
摘    要:采用金属有机化学气相淀积方法生长了α-Al2O3衬底上外延的高质量的单晶GaN薄膜。X射线衍射光谱与喇曼散射光谱表征了GaN外延薄膜的单晶结构和单晶质量。透射光谱和光调制反射光谱定出了六角单晶GaN薄膜的直接带隙宽度和光学参数。

关 键 词:α-Al2O3  薄膜  光学性质  三氧化二铝
本文献已被 维普 等数据库收录!
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司    京ICP备09084417号-23

京公网安备 11010802026262号