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| 对大气压低温等离子体刻蚀聚合物薄膜的工艺研究 | |
| 作者单位： | ;1.上海交通大学微纳电子学系微米/纳米加工技术国家级重点实验室 |
| 摘 要： | 研究了使用两种大气压等离子体射流(APPJ)刻蚀Parylene-C薄膜所产生刻蚀区域的形貌和成分之间的差异。两种APPJ分别由单环电极装置和双环电极装置产生。由单环电极APPJ刻蚀的Parylene-C表面是非均匀的,从刻蚀区域的中心到边缘可分为三部分:区域(I)是中心区域,此处Si衬底严重受损;区域(II)是有效的刻蚀区域;区域(III)是刻蚀边界。与单环电极APPJ相比,双环电极APPJ刻蚀的Parylene的形貌要好得多。特别是在区域(I)中,Si片受到轻微损坏。X射线光电子能谱分析(XPS)结果表明:单环电极APPJ刻蚀区域的O元素原子含量多于双环电极。此外,还研究了两种APPJ的刻蚀速率,相比于双环电极APPJ,单环电极APPJ具有较高的刻蚀速率。 |
| 关 键 词： | 大气压等离子体射流 单环电极 双环电极 聚合物薄膜刻蚀 表面形貌 |
Study of polymer film etched by atmospheric pressure plasma jets |
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| Abstract: | |
| Keywords: | |
