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掺杂浓度和晶粒度对Sdhottky势垒型CdTe薄膜太阳电池短路电流和光谱响应影响的计算与分析
引用本文:黄文德,李国栋,邵显康,丁开鸿,王利华.掺杂浓度和晶粒度对Sdhottky势垒型CdTe薄膜太阳电池短路电流和光谱响应影响的计算与分析[J].内蒙古大学学报(自然科学版),1986(4).
作者姓名:黄文德  李国栋  邵显康  丁开鸿  王利华
作者单位:内蒙古大学物理系,内蒙古大学物理系,内蒙古大学物理系,内蒙古大学物理系,内蒙古大学物理系
摘    要:用晶界复合损失模型分析法计算MS和MIS型CdTe多晶薄膜太阳电池的短路电流和光谱响应。结果表明,掺杂浓度对J_(sc)的影响要比对晶粒度的影响强烈得多,在低掺杂浓度(Nd=10~(14)cm~(-3))下,细小晶粒度电池的J_(sc)很接近单晶电池的水平。与以往实验结果对比,发现在相同掺杂(N_d=10~(14)cm~(-3))和晶粒度(2R=1μm))下,计算值与测量值相当一致。

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