| GaAs/Si/AlAs异质结的带阶和GaAs生长温度的影响 |
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| 引用本文： | 李永平,澜清,吴正龙,周大勇,孔云川,牛智川,田强,杨锡震,王亚非. GaAs/Si/AlAs异质结的带阶和GaAs生长温度的影响[J]. 半导体学报, 2003, 24(2): 168-172 |
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| 作者姓名： | 李永平 澜清 吴正龙 周大勇 孔云川 牛智川 田强 杨锡震 王亚非 |
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| 作者单位： | 北京师范大学物理系 北京100875(李永平，田强)，中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室 北京100083(澜清，周大勇，孔云川，牛智川)，北京师范大学分析测试中心 北京100875(吴正龙，杨锡震)，北京师范大学物理系 北京100875(王亚非) |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金 (批准号 :60 1760 0 6)，教育部高等学校骨干教师基金资助项目~~ |
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| 摘 要： | 用分子束外延 (MBE)设备制备了 Ga As/ Al As和 Ga As/ Si/ Al As异质结 ,通过 XPS分别研究了异质结界面处 Si层厚度为 0 .5 ML 和 1ML 对异质结带阶的调节 ,得到最大调节量为 0 .2 e V;通过 C- V法研究了异质结的Ga As层在不同温度下生长对 0 .5 ML Si夹层的影响 ,得到 Si夹层的空间分布随 Ga As层生长温度的升高而扩散增强的温度效应 ,通过深能级瞬态谱 (DL TS)研究了在上述不同温度下生长的 Ga As层的晶体质量 .
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| 关 键 词： | GaAs/AlAs异质结 Si夹层 XPS测量 C-V测量 DLTS测量 带阶调节 |
| 文章编号： | 0253-4177(2003)02-0168-05 |
| 修稿时间： | 2002-04-27 |
Tuning GaAs/AlAs Band Discontinuities and Influence of GaAs at Different Growth Temperatures |
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| Li Yongping ,Lan Qing ,Wu Zhenglong ,Zhou Dayong ,Kong Yunchuan ,Niu Zhichuan ,Tian Qiang ,Yang Xizhen and Wang Yafei. Tuning GaAs/AlAs Band Discontinuities and Influence of GaAs at Different Growth Temperatures[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2003, 24(2): 168-172 |
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| Authors: | Li Yongping Lan Qing Wu Zhenglong Zhou Dayong Kong Yunchuan Niu Zhichuan Tian Qiang Yang Xizhen Wang Yafei |
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| Affiliation: | Li Yongping 1,Lan Qing 2,Wu Zhenglong 3,Zhou Dayong 2,Kong Yunchuan 2,Niu Zhichuan 2,Tian Qiang 1,Yang Xizhen 3 and Wang Yafei 1 |
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| Abstract: | GaAs/Si/AlAs heterojunctions prepared by MBE are examined.The Si interlayer is found to tune the valence band offset to 0 71eV by XPS.The profile of the 0 5ML Si interlayer at different growth temperatures are investigated by C V technique.The results reveal that the lower growth temperature for GaAs epitaxial layer is required to localize the Si interlayer,whereas for lower temperature the more defects occur in the crystal by DLTS. |
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| Keywords: | GaAs/AlAs heterojunction Si interlayer XPS DLTS technique C V measurement band discontinuities |
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