五磷酸钕的发射截面和荧光效率 |
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引用本文: | H.P.Weber,顺迎.五磷酸钕的发射截面和荧光效率[J].激光与红外,1975(3). |
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作者姓名: | H.P.Weber 顺迎 |
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摘 要: | 引言各种不同的受激发射截面σ是估计激光介质增益的关键参数之一。本文报道了五磷酸钕和五磷酸镧钕(Nd_xLa_(1-x)P_5O_(14)或NdLaPP)高Nd浓度材料这一参数的测量结果。用这种材料已获得脉冲和连续两种激光运转。最近资料〔4〕报道,通过改变材料已获得1毫瓦阈值的连续运转。资料〔5,6〕叙述了NdPP的荧光光谱。资料〔7〕详细地介绍了晶体生长、所研究样品的基质吸收光谱和基质喇曼光谱。本文根据两种光谱研究测定了室温发射截面和分支比。这些包括发射谱线强度相对于吸收谱线强度的校准。资料〔8〕对YAG:Nd进行过这种研究,其结果是彼此相差高达3倍。就NdPP而言,情况甚至更为困难,因为每条谱线均比YAG相应谱线宽3倍,所以各条谱线只能作到大体上交迭和必要的重
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