| 基于无催化剂化学气相沉积法的氮化镓纳米线制备和表征 |
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| 引用本文： | 李林虎,张勃,沈龙海.基于无催化剂化学气相沉积法的氮化镓纳米线制备和表征[J].井冈山学院学报,2015(1). |
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| 作者姓名： | 李林虎 张勃 沈龙海 |
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| 作者单位： | 沈阳理工大学理学院，辽宁，沈阳 110159 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金项目(11004138)；辽宁省优秀人才支持计划( LJQ2011020)项目 |
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| 摘 要： | 采用化学气相沉积法，通过金属镓和氨气的直接反应，在石英衬底上沉积出GaN纳米线。利用 XRD和SEM对制备的 GaN 纳米线进行了结构和形貌的表征。结果表明合成的GaN纳米线为六方纤锌矿结构，直径为100~200 nm，长度达几微米，GaN纳米线的生长符合VLS生长模型。室温PL光谱表明GaN纳米线在395 nm和566 nm的发光峰主要与Ga空位或者N空位引起的缺陷能级相关。
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| 关 键 词： | 石英 GaN纳米线 缺陷能级 |
SYNTHESIS AND CHARACTERIZATION OF GaN NANOWIRES BY THE CATALYST-FREE CHEMICAL VAPOR DEPOSITION METHOD |
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| LI Lin-hu,ZHANG Bo,SHEN Long-hai.SYNTHESIS AND CHARACTERIZATION OF GaN NANOWIRES BY THE CATALYST-FREE CHEMICAL VAPOR DEPOSITION METHOD[J].Journal of Jinggangshan University,2015(1). |
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| Authors: | LI Lin-hu ZHANG Bo SHEN Long-hai |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | quartz GaN nanowires defect level |
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