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铈掺杂对PSN-PZN-PMS-PZT压电陶瓷性能的影响
引用本文:陆翠敏,孙清池,孙琳,徐明霞.铈掺杂对PSN-PZN-PMS-PZT压电陶瓷性能的影响[J].硅酸盐通报,2005,24(1):33-35,40.
作者姓名:陆翠敏  孙清池  孙琳  徐明霞
作者单位:天津大学材料科学与工程学院,天津,300072;天津大学材料科学与工程学院,天津,300072;天津大学材料科学与工程学院,天津,300072;天津大学材料科学与工程学院,天津,300072
基金项目:天津大学高温结构陶瓷及工程陶瓷加工技术教育部重点实验室资助(10232030).
摘    要:采用二次合成工艺制备PSN-PZN-PM S-PZT五元系压电陶瓷。研究准同型相界组成点处铈掺杂对压电陶瓷介、压电性能影响。结果发现随着C eO2的添加,介电常数增加,居里温度降低;压电常数增加;机械品质因数和机电耦合系数下降;铈掺杂在强场下对该系统介电性能的影响基本上和弱场下的变化趋势相近,随着外加场强的增加,介电常数和介电损耗增加。

关 键 词:二次合成  五元系压电陶瓷  准同型相界  铈掺杂  介、压电性能

Effect of CeO2 Doping on the Properties of PSN - PZN -PMS -PZT Piezoelectric Ceramics
Lu Cuimin,Sun Qingchi,Sun Lin,Xu Mingxia.Effect of CeO2 Doping on the Properties of PSN - PZN -PMS -PZT Piezoelectric Ceramics[J].Bulletin of the Chinese Ceramic Society,2005,24(1):33-35,40.
Authors:Lu Cuimin  Sun Qingchi  Sun Lin  Xu Mingxia
Abstract:
Keywords:two-step method quirnary system morphotropic phase boundary(MPB) CeO_2 doping piezoelectric and dielectric properties of the system  
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
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