| 低能粒子轰击对Si(001)-2×1表面原子行为的影响:分子动力学模拟研究 |
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| 引用本文： | 郏正明,杨根庆,程兆年,柳襄怀,邹世昌.低能粒子轰击对Si(001)-2×1表面原子行为的影响:分子动力学模拟研究[J].物理学报,1994,43(11):1809-1815. |
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| 作者姓名： | 郏正明 杨根庆 程兆年 柳襄怀 邹世昌 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海冶金研究所离子束开放研究实验室;中国科学院上海冶金研究所离子束开放研究实验室;中国科学院上海冶金研究所离子束开放研究实验室;中国科学院上海冶金研究所离子束开放研究实验室;中国科学院上海冶金研究所离子束开放研究实验室 |
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| 摘 要： | 对１─１００ｅｖ的低能位子轰击Ｓｉ（００１）－２×１表面进行了分子动力学模拟研究，利用二维偶对相关函数分析了低能轰击对表面层原子行为的影响。研究表明，１０ｅＶ，１００ｅＶ粒子的轰击，一方面增强了表面原子形成二聚体的能力，使表面二聚体成键数量增加；另一方面，也使表面原子的排列更趋无序。１ｅＶ的粒子对表面原子行为的影响不大，只是使表面原子的振动加剧。
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