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| Ge在Si(100)-2×1表面化学吸附的第一性原理研究 | |
| 作者姓名： | 陆顺其 王茺 靳映霞 卜琼琼 杨宇 |
| 作者单位： | 云南大学光电信息材料研究所,昆明,650091 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(10964016,10990103);云南省自然基金重点(2008CC012);教育部科学技术研究重点(210207)资助的项目 |
| 摘 要： | 应用密度泛函理论,构造了具有非对称二聚体结构的Si(100)-2×1重构表面,在系统研究了其表面结构及特性的基础上,计算了Ge在不同吸附位置的表面吸附能,以及吸附前后的表面投影态密度.计算结果表明:Ge原子在基位(pedestal)吸附最稳定.另外,在吸附Ge原子之后,我们得到了一个具有完整对称性的特殊Si原子二聚体结构.此结构中相邻的两个二聚体链互相平行且分别与Si表面平行,每对二聚体Si原子呈对称分布. |
| 关 键 词： | 化学吸附 表面吸附能 密度泛函理论, |
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