高性能高可靠性SiC MOSFET的关键设计与优化

1引言近年内,碳化硅功率器件已逐渐成为高压、高频及高效率应用场合需求的首选。性能、可靠性和成本是决定功率器件商业化进程的三个重要维度,此三者一般互为矛盾关系。但回顾SiC MOSFET器件的技术发展历程可以发现,通过优化制造工艺和器件设计,不仅带来性能和可靠性的提升,也降低了单颗芯片成本,技术发展成为推动SiC MOSFET商业化进程的重要源动力。