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| 注C~＋硅多孔结构的蓝光发射 | |
| 引用本文： | 廖良生,鲍希茂,闵乃本.注C~＋硅多孔结构的蓝光发射[J].半导体学报,1995,16(4):314-316. |
| 作者姓名： | 廖良生 鲍希茂 闵乃本 |
| 作者单位： | 南京大学物理系和固体微结构国家重点实验室 |
| 摘 要： | 对单晶硅进行Ｃ＋注入，注入能量为５０ｋｅＶ，注入剂量为１e１５～１e１７／ｃｍ２．在Ｎ２中经９５０℃退火１小时后，注入层形成尺寸为１～３μｍ的β－ＳｉＣ沉淀．进而采用电化学腐蚀方法将样品制成多孔结构．在紫外光激发下，样品可以发射强度较大的蓝光，光强是通常多孔硅的数倍以上，谱峰处于４８０ｎｍ和５０５ｎｍ附近．这一方法简便有效地实现了硅基材料的蓝光发射． |
| 关 键 词： | 多孔硅 蓝光发射 光致发光 |
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