| 手机用砷化镓双刀双掷单片射频开关成品率分析 |
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| 引用本文： | 李拂晓,蒋幼泉,吴振海,徐中仓,钮利荣,周剑明,邵凯,杨乃彬.手机用砷化镓双刀双掷单片射频开关成品率分析[J].半导体学报,2002,23(4):403-407. |
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| 作者姓名： | 李拂晓 蒋幼泉 吴振海 徐中仓 钮利荣 周剑明 邵凯 杨乃彬 |
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| 作者单位： | 南京电子器件研究所,南京,210016 |
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| 基金项目： | 国家计委科技攻关项目;; |
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| 摘 要： | 采用GaAs 75mm 0.7μm离子注入场效应晶体管(MESFET)标准工艺技术研制出手机用GaAs双刀双掷(DPDT)单片射频开关(以下简称单片开关).成品率分析表明,影响单片开关直流及射频参数成品率的主要因素包括:材料几何参数、注入退火均匀性、栅光刻成品率、挖槽控制及圆片沾污等.优化工艺条件可以使单片开关直流成品率稳定在90%左右,微波成品率稳定在80%左右,接近国际上砷化镓标准加工线的水平.
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| 关 键 词： | 砷化镓 单片 射频开关 成品率分析 |
| 文章编号： | 0253-4177(2002)04-0403-05 |
| 修稿时间： | 2001年5月30日 |
Yield Analysis of GaAs DPDT Monolithic RF Switch for Wireless Communication |
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| Li Fuxiao,Jiang Youquan,Wu Zhenhai,Xu Zhongcang,Niu Lirong,Zhou Jianming,Shao Kai and Yang Naibin.Yield Analysis of GaAs DPDT Monolithic RF Switch for Wireless Communication[J].Chinese Journal of Semiconductors,2002,23(4):403-407. |
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| Authors: | Li Fuxiao Jiang Youquan Wu Zhenhai Xu Zhongcang Niu Lirong Zhou Jianming Shao Kai and Yang Naibin |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Ga As monolithic RF switch yield analysi |
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