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中科院上海冶金所研制的二氯二氢硅通过市级鉴定
作者姓名:张桂成
摘    要:<正> 二氯二氢硅(Sicl_2H_2)是一种新型的外延沉积源,比Sicl_4外延沉积温度低,外延层质量高,是目前国内半导体器件科研和生产单位急需的一种气态源,它还可以用于制备高均匀度的氧化层,廉价太阳能电池和用于生产Si_3N_4薄膜的气态源,具

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