| 层状钙钛矿铁电薄膜的层错结构研究 |
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| 引用本文： | 朱信华,洪建明,李爱东,朱健民,吴迪,周舜华,李齐,刘治国,闵乃本.层状钙钛矿铁电薄膜的层错结构研究[J].电子显微学报,2000,19(4):465-466. |
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| 作者姓名： | 朱信华 洪建明 李爱东 朱健民 吴迪 周舜华 李齐 刘治国 闵乃本 |
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| 作者单位： | 南京洪建明大学物理系固体微结构国家重点实验室,南京,210093 |
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| 摘 要： | 由于铁电薄膜具有工作电压低、读写速度快及较好的耐久性等优点,在非易失存储器(FRAM)方面受到人们的广泛重视。在过去的十年里,研究的重点集中在Pb(Zr,Ti)O3(PZT)系铁电薄膜材料,但由于该系材料存在严重的疲劳现象,限制其在FRAM器件上的应用。近年来,铋系层状钙钛矿结构的铁电薄膜材料在FRAM器件中的应用与日俱增。SrBiTa2O9(SBT)铁电薄膜作为铋系层状钙钛矿结构材料的代表,它具有优良的耐疲劳特性(极化反转次数高达1012次)和较好的保持力特性,成为制备FRAM器件的首选材料1]。虽然人们对SBT铁电薄膜的制备工艺、电学性能及…
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| 关 键 词： | 层状钙钛矿 铁电薄膜 层错结构 |
Structural investigations on stacking faults in layered perovskite ferroelectric thin films |
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