| 减少硅片湿法清洗工艺铁离子沾污研究 |
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| 引用本文： | 廖乃镘,龙飞,罗春林,雷仁方,李贝,李仁豪.减少硅片湿法清洗工艺铁离子沾污研究[J].半导体光电,2011,32(4):509-512. |
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| 作者姓名： | 廖乃镘 龙飞 罗春林 雷仁方 李贝 李仁豪 |
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| 作者单位： | 重庆光电技术研究所,重庆,400060 |
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| 摘 要： | 为了研制出高性能电荷耦合器件（CCD）,减少硅片清洗工艺Fe离子沾污是关键。利用表面光电压（SPV）法,研究了硅片清洗过程的Fe离子沾污。研究表明,SPM（H2SO4/H2O2）→SC-1清洗,去除Fe离子污染的效果比较差;用SPM→SC-1→SC-2清洗,去除Fe离子杂质的效果较好,Fe离子污染减少了2个数量级。增加SC-1和SC-2清洗次数可以减少Fe离子沾污,但效果不明显。当化学试剂中金属杂质含量由1×10^-8 cm^-3减少到1×10^-9 cm^-3,清洗工艺Fe离子沾污减少到8.0×1010 cm^-3。
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| 关 键 词： | 硅片清洗 铁沾污 电荷耦合器件 表面光电压 |
Reduction of Fe Contamination in Wet Cleaning Process of Silicon Wafers |
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| LIAO Naiman,LONG Fei,LUO Chunlin,LEI Renfang,LI Bei,LI Renhao.Reduction of Fe Contamination in Wet Cleaning Process of Silicon Wafers[J].Semiconductor Optoelectronics,2011,32(4):509-512. |
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| Authors: | LIAO Naiman LONG Fei LUO Chunlin LEI Renfang LI Bei LI Renhao |
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| Affiliation: | (Chongqing Optoelectronics Research Institute,Chongqing 400060,CHN) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | silicon wafers cleaning iron contamination charge-coupled device SPV |
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