| 基于光刻胶回流特性的平面化工艺 |
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| 引用本文： | 叶枝灿,徐东,王芸,王莉,吴茂松.基于光刻胶回流特性的平面化工艺[J].微细加工技术,2005(4):12-15,30. |
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| 作者姓名： | 叶枝灿 徐东 王芸 王莉 吴茂松 |
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| 作者单位： | 1. 上海交通大学,微纳科学技术研究院,微米/纳米加工技术国家重点实验室,薄膜与微细技术教育部重点实验室,上海,200030
2. 霍尼韦尔上海传感器实验室,上海,200030 |
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| 摘 要： | 研究了一种利用光刻胶的回流特性去除表面的磨痕，使其表面平整化的方法，结合牺牲层结构可以非常简便地制备出微机电器件中各种悬臂梁结构。着重研究了光刻胶的前烘胶温度、回流温度、回流时间对回流效果的影响。通过大量的实验得到了较好的回流工艺，即光刻胶90℃下60min前烘后，并在90℃下回流60min，不但能通过机械抛光准确控制减薄厚度，而且还可以完全除去其表面的磨痕，获得平滑的表面结构。
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| 关 键 词： | 光刻胶 回流 平面化 牺牲层 |
| 文章编号： | 1003-8213（2005）04-0012-04 |
| 收稿时间： | 2005-05-19 |
| 修稿时间： | 2005-05-192005-07-06 |
A Planarization Process Based on Reflowing Characteristic of Photoresist |
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| YE Zhi-can,XU Dong,WANG Yun,WANG Li,WU Mao-song.A Planarization Process Based on Reflowing Characteristic of Photoresist[J].Microfabrication Technology,2005(4):12-15,30. |
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| Authors: | YE Zhi-can XU Dong WANG Yun WANG Li WU Mao-song |
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| Affiliation: | 1. National Key Laboratory of Nano/Micro Fabrication Technology, Key Laboratory for Thin Film and Microfabrication of Ministry of Education, Institute of Micro and Nano Science and Technology, Shanghai Jiaotong University, Shanghai 200030, China;2.Honeywell Shanghai Sensors Lab, Shanghai 200030, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | photoresist reflow planarization sacrificial layer |
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