| 分子束外延HgCdTe/CdZnTe(211)B表面缺陷研究 |
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| 引用本文： | 王丹,高达,李震,刘铭.分子束外延HgCdTe/CdZnTe(211)B表面缺陷研究[J].红外,2021,42(10):9-15. |
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| 作者姓名： | 王丹 高达 李震 刘铭 |
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| 作者单位： | 华北光电技术研究所,北京100015 |
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| 摘 要： | HgCdTe材料的表面缺陷是造成探测器性能下降的主要原因之一。采用聚焦离子束（Focused Ion Beam, FIB）、扫描电子显微镜（Scanning Electron Microscope, SEM）和能量色散X射线光谱仪（Energy Dispersive X-ray Spectrometer, EDX）研究了碲锌镉（CdZnTe)基HgCdTe外延层的表面缺陷。通过分析不同类型缺陷形成的原因，确定缺陷起源于HgCdTe材料生长过程。缺陷的形状与生长条件关系密切。凹坑及火山口状缺陷与Hg缺乏/稍高生长温度、分子束源坩埚中材料形状变化造成的不稳定束流有关。金刚石状缺陷和火山口状/金刚石状复合缺陷的产生与Hg/Te高束流比、低生长温度相关。在5 cm×5 cm大小的CdZnTe(211)B衬底表面上生长出了组分为0.216、厚度约为6.06~7 μm的高质量HgCdTe外延层。同时还建立了缺陷类型与HgCdTe薄膜生长工艺的关系。该研究对于制备高质量HgCdTe/CdZnTe外延层具有参考意义。
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| 关 键 词： | 分子束外延 HgCdTe CdZnTe 缺陷 |
| 收稿时间： | 2021/6/13 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2021/6/23 0:00:00 |
Study on Surface Defect of HgCdTe/CdZnTe(211)B by MBE |
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| wangdan,gaod,lizhen and liuming.Study on Surface Defect of HgCdTe/CdZnTe(211)B by MBE[J].Infrared,2021,42(10):9-15. |
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| Authors: | wangdan gaod lizhen and liuming |
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| Affiliation: | North China Research Institute of Electro-Optics,North China Research Institute of Electro-Optics,North China Research Institute of Electro-Optics,North China Research Institute of Electro-Optics |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | molecular beam epitaxy HgCdTe CdZnTe defect |
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