磁电子学中的若干问题 |
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引用本文: | 蔡建旺,赵见高,詹文山,沈保根.磁电子学中的若干问题[J].物理学进展,2011,17(2):119-140. |
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作者姓名: | 蔡建旺 赵见高 詹文山 沈保根 |
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作者单位: | 中国科学院物理研究所&凝聚态物理中心磁学国家重点实验室 北京 100080 |
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摘 要: | 本文综述了自旋极化输运过程中巡游电子的自旋极化、自旋相关的散射及自旋弛豫等三方面的内容;全面总结了铁磁金属的磁电阻效应(AMR)、磁性金属多层膜和颗粒膜的巨磁电阻效应(GMR)、氧化物铁磁体的特大磁电阻效应(CMR)以及磁隧道结的巨大隧道电阻效应(TMR)研究中具有代表性的实验结果及理论模型;简单介绍了新生的磁电子器件—磁电阻型随机存取存储器(MRAM)和全金属自旋晶体管的工作原理和工作过程。
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关 键 词: | 无 |
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