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g-C3N4/Bi2S3复合材料宽光谱光电探测器制备及其性能研究
引用本文:方向明,容萍,任帅,王兆阳,高世勇,王金忠.g-C3N4/Bi2S3复合材料宽光谱光电探测器制备及其性能研究[J].光子学报,2022(2):158-164.
作者姓名:方向明  容萍  任帅  王兆阳  高世勇  王金忠
摘    要:通过热聚法制备了g-C3N4和Bi2S3纳米材料,在室温下进一步利用溶液法得到了g-C3N4/Bi2S3复合结构.采用扫描电子显微镜和X射线衍射仪对样品的表面形貌和晶体结构进行了表征,结果表明复合Bi2S3后并没有破坏g-C3N4本身的片层结构,且g-C3N4/Bi2S3复合结构仍然具有较好的结晶质量.基于g-C3N4...

关 键 词:复合结构  紫外探测  可见光探测  g-C3N4  Bi2S3
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