| PECVD法制备低介电常数含氟碳膜研究 |
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| 引用本文： | 刘雄飞,李幼真,肖剑荣.PECVD法制备低介电常数含氟碳膜研究[J].微细加工技术,2002(4):40-44. |
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| 作者姓名： | 刘雄飞 李幼真 肖剑荣 |
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| 作者单位： | 中南大学物理科学与技术学院,长沙,410083 |
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| 摘 要： | 采用PECVD法制备了低介电常数薄膜a-C：F，研究了薄膜沉积速率与温度及射频功率的关系，测量了不同沉积条件下薄膜的介电常数，并用FTIR分析了薄膜的化学结构及成分，发现薄膜沉积速率与沉积条件密切相关，其介电性与其化学结构以及沉积条件密切相关。
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| 关 键 词： | PECVD法 低介电常数 含氟碳膜 沉积速率 射频功率 超大规模集成电路 |
| 文章编号： | 1003-8213(2002)04-0040-05 |
| 修稿时间： | 2002年7月9日 |
Research on Fabrication of Low Dielectric Constant a-C: F Films by PECVD |
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| LIU Xiong-fei,LI You-zhen,XIAO Jian-rong.Research on Fabrication of Low Dielectric Constant a-C: F Films by PECVD[J].Microfabrication Technology,2002(4):40-44. |
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| Authors: | LIU Xiong-fei LI You-zhen XIAO Jian-rong |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | PECVD |
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