| 等离子体气相沉积非晶SiO2薄膜的特性研究 |
| |
| 引用本文： | 何乐年.等离子体气相沉积非晶SiO2薄膜的特性研究[J].真空科学与技术学报,2000,20(4). |
| |
| 作者姓名： | 何乐年 |
| |
| 作者单位： | 浙江大学信息与电子工程学系!杭州310027 |
| |
| 基金项目： | 教育部留学回国人员基金资助项目，浙江大学曹光彪高科技发展基金资助项目 |
| |
| 摘 要： | 用傅立叶红外吸收光谱 ,电子自旋共振 ,表面台阶仪等研究了等离子体增强化学气相沉积法制备的非晶SiO2 薄膜的特性与膜厚的关系。当膜厚从 0 1 μm递增到 1 1 μm时 ,1 0 60cm- 1 附近的Si—O—Si伸缩振动吸收峰从 1 0 50cm- 1 漂移到1 0 75cm- 1 ,但是 80 0cm- 1 处的Si—O—Si弯曲振动吸收峰不随膜厚变化而变化。通过比较 ,由于多重反射而引起的Si—O—Si伸缩振动吸收峰漂移的理论计算值 ,认为本研究中的Si—O—Si伸缩振动吸收峰的漂移不仅是由于多重反射效应 ,而且更主要是由于薄膜的物理性能随膜厚增加而发生了变化。Si悬挂键密度、应力以及HF缓冲溶液中的腐蚀速度等实验结果验证了以上的观点
|
| 关 键 词： | 等离子体增强化学气相沉积 非晶SiO_2薄膜 红外吸收光谱 Si悬挂键 应力 |
Properties of Plasma deposited Amorphous SiO_2 Films |
| |
| He Lenian.Properties of Plasma deposited Amorphous SiO_2 Films[J].JOurnal of Vacuum Science and Technology,2000,20(4). |
| |
| Authors: | He Lenian |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | PECVD Amorphous SiO_2 films Infrared absorption spectroscopy Si dangling bonds Stress |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ |
|
