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一种新的CMOS带隙基准电压源设计
引用本文:徐静平,熊剑波,陈卫兵. 一种新的CMOS带隙基准电压源设计[J]. 华中科技大学学报(自然科学版), 2006, 34(2): 36-38
作者姓名:徐静平  熊剑波  陈卫兵
作者单位:华中科技大学,电子科学与技术系,湖北,武汉,430074;华中科技大学,电子科学与技术系,湖北,武汉,430074;华中科技大学,电子科学与技术系,湖北,武汉,430074
摘    要:设计了一种新的CMOS带隙基准电压源.通过采用差异电阻间温度系数的不同进行曲率补偿,利用运算放大器进行内部负反馈,设计出结构简单、低温漂、高电源抑制比的CMOS带隙基准电压源.仿真结果表明,在VDD=2 V时,电路具有4.5×10-6V/℃的温度特性和57 dB的直流电源抑制比,整个电路消耗电源电流仅为13μA.

关 键 词:带隙基准电压源  曲率补偿  CMOS
文章编号:1671-4512(2006)02-0036-03
收稿时间:2005-05-08
修稿时间:2005-05-08

Design of a CMOS bandgap voltage reference
Xu Jingping,Xiong Jianbo,Chen Weibing. Design of a CMOS bandgap voltage reference[J]. JOURNAL OF HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY.NATURE SCIENCE, 2006, 34(2): 36-38
Authors:Xu Jingping  Xiong Jianbo  Chen Weibing
Abstract:
Keywords:CMOS
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