| GaN材料的高速生长对其C污染以及光致发光光谱的影响 |
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| 引用本文： | 毛清华,刘军林,吴小明,张建立,熊传兵,莫春兰,张萌,江风益.GaN材料的高速生长对其C污染以及光致发光光谱的影响[J].半导体学报,2015,36(9):093003-4. |
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| 作者姓名： | 毛清华 刘军林 吴小明 张建立 熊传兵 莫春兰 张萌 江风益 |
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| 基金项目： | Project supported by the Key Program of the National Natural Science Foundation of China，National Natural Science Foundation of China，National High Technology Research and Development Program of China，National Key Technology Research and Development Program of China，Fund for Less Developed Regions of the National Natural Science Foundation of China |
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| 摘 要： | 利用金属有机化学气相沉积对GaN的高速生长进行了研究.结果表明，随着GaN生长速率的提高，其非故意掺杂的C含量也在提高，并且呈现出良好的线性关系.当生长速率由2μm/h增加至7.2μm/h时，利用SIMS测量发现其GaN中的C含量由2.9×1017增加至5.7×1018 cm-3 .研究表明，N空位的存在与C浓度之间存在紧密的联系。在高氨气分压生长条件下，N空位的浓度也在急剧下降。此时，与具有相近生长速率的常规样品相比，其C含量几乎下降了一个数量级。.光致发光光谱表明，黄带以及蓝带的强度与C污染存在线性关系.这个结果也证实了与C相关的缺陷是导致黄带以及蓝带发光的主要来源。
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| 关 键 词： | GaN optoelectronic devices carbon contamination high growth rate yellow luminescence |
Influence of growth rate on the carbon contamination and luminescence of GaN grown on silicon |
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| Mao Qinghu,Liu Junlin,Wu Xiaoming,Zhang Jianli,Xiong Chuanbing,Mo Chunlan,Zhang Meng and Jiang Fengyi.Influence of growth rate on the carbon contamination and luminescence of GaN grown on silicon[J].Chinese Journal of Semiconductors,2015,36(9):093003-4. |
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| Authors: | Mao Qinghu Liu Junlin Wu Xiaoming Zhang Jianli Xiong Chuanbing Mo Chunlan Zhang Meng and Jiang Fengyi |
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| Affiliation: | National Engineering Technology Research Center for LED on Si Substrate, Nanchang University, Nanchang 330047, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | GaN optoelectronic devices carbon contamination high growth rate yellow luminescence |
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