| 维纳尔法生长掺杂刚玉晶体中O-H基团红外谱特性的研究 |
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| 引用本文： | 陈川,林理彬,伍登学,赵汇川,谢慧.维纳尔法生长掺杂刚玉晶体中O-H基团红外谱特性的研究[J].光谱实验室,1992(3). |
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| 作者姓名： | 陈川 林理彬 伍登学 赵汇川 谢慧 |
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| 作者单位： | 中国科学院成都分院分析测试中心，四川大学物理系，四川大学物理系，四川大学物理系，四川大学分析测试中心 成都市磨子桥，610015，成都市九眼桥，610064，成都市九眼桥，610064，成都市九眼桥，610064，成都市九眼桥，610064 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助课题 |
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| 摘 要： | 本文通过大量各种掺杂的维纳尔法生长刚玉晶体的红外谱分析研究,利用质子辐照样品和提拉法生长样品与之比较,识别出四个新的O-H基团红外峰,峰位分别在2851厘米～(-1),2919厘米～(-1),2955厘米～(-1)和3164厘米～(-1)。提出H～ 离子与金属离子形成复合体模型,给出了Al～(3 )、Ti～(3 )、V～(3 ),Cr～(3 )、Fe～(3 )、Co～(3 )、Ni～(3 )和阳离子空位与H～ 离子形成(Me)’_(Al)/H·_(i)]缺陷的红外峰位,很好地解释了有关实验现象。
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